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材料科学与工程学报, 2017, 35(2): 177-180.
10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.002
非晶ZnTiSnO薄膜的溶液燃烧法制备与TFT器件性能

冯丽莎 1, , 江庆军 2, , 叶志镇 3, , 吕建国 4,

1.浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验,浙江杭州310027;
2.浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验,浙江杭州310027;
3.浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验,浙江杭州310027;
4.浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验,浙江杭州310027
本文采用溶液燃烧法,在较低温度下成功制备出非晶ZnTiSnO(ZTTO)薄膜,用作沟道层制备薄膜晶体管(TFT).研究了Ti掺人对薄膜的结构、光学性能、元素化学态以及对TFT器件电学性能影响.研究结果表明,所制得的ZTTO薄膜均为非晶结构,可见光透过率大于84％;适量Ti的掺入可作为载流子抑制剂有效降低薄膜中的氧空位缺陷浓度,从而提升TFT器件性能.当Zn/Ti摩尔百分比为30/1时,ZTTO TFT性能良好,开关比可达3.54×105.
引用： 冯丽莎, 江庆军, 叶志镇, 吕建国 非晶ZnTiSnO薄膜的溶液燃烧法制备与TFT器件性能. 材料科学与工程学报, 2017, 35(2): 177-180. doi: 10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.002
参考文献：

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